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Igbt 50jr22 Gt50jr22 Toshiba Original

$99.00

Marca HMICICAWK
Modelo

Gt50jr22

Características

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de tres pines. Encapsulado TO-3P. Combina las características de un mosfet con las características de alta corriente y baja-saturación de voltaje de los transistores bipolares

Disponibilidad: 10 disponibles

Descripción

Utilizando la novedosa tecnología IGBT el Gt50jr22 ofrecen el rendimiento óptimo para aplicaciones de inversores solares, UPS, soldadores, hornos microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde las pérdidas de conmutación y conducción bajas son esenciales.

Características:

  • Máxima corriente de Colector: 50A (DC)
  • Máximo voltaje Colector-Emisor: 600V
  • Máximo voltaje de Emisor: ±25V
  • Máxima potencia de disipación: 230W
  • Velocidad de switching: 1MHz
  • Tipo: canal N
  • Número de pines: 3
  • Montaje: through hole
  • Encapsulado: TO-3P (TO-247)

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