Descripción
Transistor MOSFET de canal N
Rasgo isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPCIÓN ·Corriente de drenaje ID= 3.
5A@ TC=25℃ ·Voltaje de fuente de drenaje: VDSS= 600V(M in) ·Velocidad de conmutación rápida ·Variaciones mínimas de lote a lote para un dispositivo robusto rendimiento y operación confiable APLICACIONES ·Reguladores de conmutación ·Convertidor CC-CC, ·Control de motores CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (Ta=25℃) SÍMBOLO ARAMETRO VALOR UNIDAD VDSS Tensión drenaje-fuente (VGS=0) 600 V VGS Gate- Voltaje de fuente ±30 V ID Corriente de drenaje continua @ TC=25 ℃ 3.
5 A ID (pulsos) Corriente de drenaje pulsada 14 A Ptot Disipación total @ TC = 25 ℃ 40 W Tj Máx.
Clasificación de funcionamiento Temperatura de unión 1 .
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