Descripción
Número de Parte: 10N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Características
• 9,5 A, 600 V, RDS (encendido) = 0,73 Ω @VGS = 10 V
• Carga de compuerta baja (típica 44 nC)
• Low Crss (típico 18 pF)
• Cambio rápido
• 100 % probado contra avalanchas
• Capacidad dv/dt mejorada
Nuestra garantía
¡Su satisfacción es nuestro objetivo #1!
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Nuestro compromiso es asegurarnos de que esté 100% satisfecho con su compra.
Le deseamos una feliz compra, bienvenido a la próxima visita.
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