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Transistor 60S180P7 IPA60R180P7S TO-220F MOS

$69.00

Marca IXYS
Modelo

IPA60R180P7

Características

•Adecuado para conmutación fuerte y suave (PFC y LLC) debido a una excelente
robustez de conmutación
•Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
•Excelente robustez ESD >2kV(HBM)para todos los productos
• Mejores productos RDS(on)/package en comparación con la competencia habilitados por un
RDS bajo (encendido) * A (por debajo de 1 ohmio * mm²)

Disponibilidad: 10 disponibles

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Descripción

La plataforma CoolMOS™ de séptima generación es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje, diseñados de acuerdo con la superunión (SJ) y pionero de Infineon Technologies. Los 600 V
La serie CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6. combina los beneficios de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, muy baja tendencia a sonar, excelente robustez del cuerpo diodo contra conmutación dura y excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen aplicaciones de conmutación aún más eficientes, más compactas y mucho enfriador.
 Principales características

Número de Parte: IPA60R180P7

Código: 60R180P7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 26 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 25 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 19 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FP

 

Nuestra garantía

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