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Transistor 70R900P

$50.00

Marca cischy
Modelo

70R900P

Características

  • Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W
  • Tensión drenaje-fuente |Vds|: 700 V
  • Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
  • Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
  • Carga de compuerta (Qg): 15 nC
  • Tiempo de elevación (tr): 25 nS
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm
  • Empaquetado / Estuche: TO-252

Disponibilidad: 10 disponibles

Categorías: , Etiquetas: , ,

Descripción

Es un transistor de propósito general, 70R900P es un MOSFET de potencia que utiliza la tecnología avanzada de súper unión de magnachips que puede lograr una resistencia de encendido y una carga de compuerta muy bajas. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar brindan la ventaja de Low EMI a los diseñadores,

Código de Producto: 70R900P
Código de Fabricante: cischy
Estructura: TO-252

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ENLACE URL

https://www.alldatasheet.es/datasheet-pdf/pdf/1316899/VBSEMI/T40N03G.html

 

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