Descripción
Transistor IRF640N MOSFET de canal N
Número de Parte: IRF640N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 18 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V
- Resistencia de activación Rds(on): 150 mohm
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Disipación de potencia Pd: 150 W
- Temperatura de trabajo máxima: 175°C
- Encapsulado: TO-220
- 3 pines
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Technologies 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs
Nuestra garantía
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