Descripción
Utilizando la novedosa tecnología IRL540N MOSFET ofrecen el rendimiento óptimo, Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.
- Control de compuerta de nivel lógico
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dinámica dv/dt
- Temperatura de funcionamiento de 175 °C
- Cambio rápido
- Número de Parte: IRL540N
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 36 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 49.3 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.044 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
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