Descripción
El transistor IXTP80N10T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
- Conversión DC / DC y UPS fuera de línea
- Bus de energía 42V
- Sistemas de ABS
- Automotor
– Unidades motrices
– Conversión DC / DC
– Bus de energía 42V
– Sistemas de ABS
- Convertidores DC / DC y UPS fuera de línea
- Interruptor primario para 24V y 48V
- Aplicaciones de conmutación de alta corriente
- Distributed Power Architechtures
y VRMs
- Sistemas electrónicos de trenes de válvulas
- Capacidad de manejo de alta corriente
Información Básica
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID: 80 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 220 A
- Corriente de avalancha IAR: 25 A
- Disipación de potencia máxima PD: 230 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
Nuestra garantía
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