Descripción
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
Transistor SSP2N60B MOSFET de canal N
Número de Parte: SSP2N60B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal-N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
- Voltaje de compuerta a fuente VGS: ± 30 V
- Corriente continua de drenaje ID: 2 A
- Disipación de potencia máxima PD: 54 W
- Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on): 5.0 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
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