Descripción
Número de Parte: AOT8N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Tiempo de elevación (tr): 47 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 93 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.85 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
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